ساخت و مشخصه يابي لايه هاي نازك نانومتري GaN مورد استفاده در ديودهاي نورافشان

مقطع تحصيلي

كارشناسي ارشد

رشته تحصيلي

فيزيك گرايش اتمي مولكولي

دانشكده

دانشكده علوم، گروه فيزيك

تاريخ دفاع

1390

صفحه شمار

93ص

استاد راهنما

حميدرضا فلاح

كليدواژه فارسي

لايه نازك , ديود نورافشان , چشم حرارتي , ويژگي اپتيكي , گاف انرژي , لايه نشاني , چگالي الكتروني , گاليم نيتريد

تاريخ نمايه سازي

16/2/91

نام نمايه ساز

اعظم خراساني

كليدواژه لاتين

Thin film , Light emitting diode , Thermal source , Optical properties , Energy Gap , Electron density , Gallium nitride (GaN

عنوان لاتين

Fabrication and characterization of GaN nanometer thin film for LED

نويسنده

نعمتي، روح اله

لينک به اين مدرک