24185

PHY2 795

كارشناسي ارشد

فيزيك - فيزيك ماده چگال

فيزيك

1403/06/28

70 ص.

زهرا نوربخش حبيب آبادي , امين الله واعظ

نظريه تابعي چگالي , فاز توپولوژي , ويژگي هاي اپتيكي , تقريب شيب تعميم يافته

در اين پايان¬نامه محاسبات بر اساس نظريه تابعي چگالي و با روش امواج تخت بهبود يافته و با استفاده از رهيافت GGAدر غياب برهم¬كنش اسپين - مدار و همچنين در حضور برهم¬كنش اسپين - مدار با كد محاسباتي وين نسخه 2016 انجام شده است. ويژگي¬هاي الكتروني و ساختاري آلياژهاي InSe_x Te_(1-x) به ازاي x= 0, 0.25, 0.5, 0.75, 1 همانند چگالي حالت¬هاي الكتروني و ساختار نواري در غياب برهم¬كنش اسپين - مدار و همچنين در حضور برهم¬كنش اسپين - مدار محاسبه و با نتايج تجربي موجود مقايسه شده است. علاوه بر اين، سه فاز متفاوت از انبوهه تركيب InSe مورد بررسي قرار گرفته و فاز پايدارتر معيين شده است. ويژگي¬هاي اپتيكي آلياژهاي InSe_x Te_(1-x) در حضور برهم¬كنش اسپين - مدار محاسبه و نمودارهاي بازتابندگي و تابع دي¬الكتريك رسم شده است و مورد بررسي قرار گرفته است. نتيجه محاسبات ما نشان مي¬دهد كه تركيب InSe يك نيم¬رساناي معمولي و تركيب InTe يك رساناي معمولي است. همچنين آلياژهاي InSe_0.25 Te_0.75، InSe_0.5 Te_0.5 و InSe_0.75 Te_0.25 رسانا هستند. همچنين ويژگي¬هاي الكتروني و ساختاري تك¬لايه¬هاي تركيب¬هاي InSe و InTe در غياب برهم¬كنش اسپين - مدار و همچنين در حضور برهم¬كنش اسپين - مدار محاسبه شده است.

Density functional theory , Topology phase , Optical properties , Generalized gradient approximation

Study of optical, electronic and topological phase of InSexTe1-x alloys

فيزيك ماده چگال

In this thesis, the calculated results have been investigated based on the density functional theory and with the linearized augmented plane wave (LAPW) method and using the GGA approaches with and without spin-orbit interaction with WIEN2K (2016) computational code. Electronic and structural properties of InS_x Te_(1-x) alloys for (x=0, 0.25, 0.5, 0.75, 1) such as the electronic density of states and band structure are calculated with and without spin-orbit interaction and compared with the experimental results. In addition, three different phases of the InSe compound have been investigated and the more stable phase has been determined. The optical properties such as reflectivity and dielectric function of InSe and InTe compounds have been calculated and analyzed with spin-orbit interaction. The result show that InSe compound is a normal semiconductor and InTe compound is a normal metal. Also, InSe_0.25 Te_0.75, InSe_0.5 Te_0.5 and InSe_0.75 Te_0.25 alloys are metals. The electronic and structural properties of the single layers of InSe and InTe compounds have been calculated with and without spin-orbit interaction.

4