-
شماره ركورد
24043
-
شماره راهنما
PHY2 791
-
نويسنده
خليلي ششجواني، فاطمه
-
عنوان
مطالعه ويژگي هاي الكتروني و فاز توپولوژي تركيب ها و تكلايههايGaSوGaSe وGaTe
-
مقطع تحصيلي
كارشناسي ارشد
-
رشته تحصيلي
فيزيك - فيزيك ماده چگال
-
دانشكده
فيزيك
-
تاريخ دفاع
1403/06/28
-
صفحه شمار
79 ص.
-
استاد راهنما
زهرا نوربخش حبيب آبادي
-
استاد مشاور
امين الله واعظ
-
كليدواژه فارسي
نظريهتابعي چگالي , فاز توپولوژي , ويژگيهاي ساختاري , ويژگيهاي الكتروني , تكلايه
-
چكيده فارسي
محاسبات اين پاياننامه با استفاده از نظريهتابعي چگالي، با روش امواج تخت بهبود يافته انجام شده است. خواص ساختاري و الكترونيكي مانند ساختار نواري، چگالي حالتهاي الكتروني و ثابتهاي شبكه GaS، GaSe و GaTe در حالت انبوهه و تك لايه با استفاده از كد محاسباتي و با رهيافت PBE-GGA در حضور و غياب برهمكنش اسپين-مدار بررسي شده است. چگالي حالتهاي الكتروني ، ساختارهاي نواري و فاز توپولوژيكي GaS، GaSe و GaTe در حالت انبوهه با نتايج متناظر با تك لايه آنها مقايسه شده است. اين تركيبات در حالت انبوهه و تك لايه نيم رسانا با گاف انرژي متفاوت هستند. علاوه براين بررسي نظم نواري اين تركيبات نشان ميدهد كه اين تركيبات در حالت انبوهه و تك لايه نظم نواري معمولي دارند. بررسي تاثير فشار بر فاز توپولوژي اين تركيبات نشان ميدهد كه گذار فاز توپولوژي در آنها رخ نمي دهد.
-
كليدواژه لاتين
Density functional theory , phase topology , structural properties , electronic properties , monolayer
-
عنوان لاتين
Study of electronic properties and topological phase of GaS, GaSe, GaTe compounds and monolayers
-
گروه آموزشي
فيزيك ماده چگال
-
چكيده لاتين
In this thesis, calculations have been done using the density functional theory with the improved wave method. The structural and electronic properties such as band structure, electron states density and lattice constants of GaS, GaSe and GaTe bulks and mono-layes have been investigated using the computational code within the PBE-GGA (PBE generalized gradient approximation) approach in the presence and absence of spin-orbit interaction. The toplogical phas and the effects of pressure on the toplogical phas of GaS, GaSe and GaTe bulks and mono-layes are studied. The electron density of states, band structures and toplogical phase of GaS, GaSe and GaTe in bulks are compared with the corresponding results of thire mono-layers. These compounds in bulk and mono-layer states are semiconductor with different enegy band gaps. In addition to, the investigation of the toplogical band order of these compounds shows that these compounds have normal band order in bulk and mono-layer states. Investigating the effect of pressure on the topological phase of these compounds shows that the topological phase transition does not occur in these compounds and mono-layes.
-
تعداد فصل ها
4
-
لينک به اين مدرک :