-
شماره ركورد
23776
-
شماره راهنما
COM2 654
-
نويسنده
عبدالمحمدي هرگلان، رعنا
-
عنوان
طراحي يك سلول تمام جمعكننده مبتني بر فناوري 32 نانومتر نانولولههاي كربني با تكنيك ورودي انتشار گيت
-
مقطع تحصيلي
كارشناسي ارشد
-
رشته تحصيلي
مهندسي كامپيوتر- معماري سيستم هاي كامپيوتري
-
دانشكده
مهندسي كامپيوتر
-
تاريخ دفاع
1403/06/21
-
صفحه شمار
74 ص.
-
استاد راهنما
محمدرضا رشادي نژاد
-
كليدواژه فارسي
فناوري نانولولههاي كربني , تمام جمعكنندهي دقيق , جمعكنندههاي چندبيتي , توانمصرفي
-
چكيده فارسي
محدوديتهاي ناشي از مقياسپذيري در فناوري رايج ترانزيستورهاي سيليكوني (CMOS) باعث شده تا پژوهشگران به دنبال يافتن جايگزيني مناسب براي اين فناوري باشند. در اين ميان، ترانزيستورهاي اثرميداني نانولولههاي كربني (CNFET) به دليل ويژگيها و شباهتهايشان با فناوري متداول CMOS، به عنوان اصليترين گزينه براي جايگزيني مطرح شدهاند. به همين دليل، طراحي و ساخت گيتها و مدارهاي پايه در فناوري ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولولههاي كربني براي استفاده در سختافزارهاي بزرگتر، به يكي از مباحث مهم پژوهشي در اين حوزه تبديل شده است. در اين ميان، طراحي تمام جمعكنندهها كه به نوعي پايهي اعمال حسابي ديگر به شمار ميآيند و بهبود عملكرد آنها منجر به بهبود عملكرد مدارهاي بزرگتر ميشود، اهميت ويژهاي يافته است. در پژوهش حاضر، يك تمام جمعكننده با بهرهگيري از فناوري ترانزيستورهاي اثرميداني نانولولههاي كربني معرفي شده كه تلاش شده است تا از لحاظ پارامتر توانمصرفي، عملكرد بهتري نسبت به طراحيهاي پيشين داشته باشد. نتايج نشان داد كه تمام جمعكنندهي پيشنهادي توان مصرفي را حداقل 6% و حداكثر 61% بهبود داده است و همچنين اين طراحي در پارامترهاي تأخير و PDP نسبت به تعدادي از كارهاي پيشين به ترتيب حداقل 9% و حداكثر 69% و حداقل 1% و حداكثر 8% بهبود داده است. براي ارزيابي دقيقتر طراحي انجام شده مدارهاي جمعكنندهي بزرگتر شامل جمعكنندههاي موجگونه و جمعكنندههاي سريع مانند جمعكنندههاي انتخاب رقم نقلي و جمعكنندههاي پرش رقم نقلي نيز با استفاده از تمام جمعكنندهي پيشنهادي طراحي و عملكرد آنها بررسي و تحليل شدند. بهطوري كه جمعكنندهي موجگونهي طراحي شده در مقايسه با اين تمام جمعكننده 41% بهبود در توان و 6% بهبود در PDP داشته است. بهبود حاصل از طراحي جمعكنندهي انتخاب رقم نقلي با استفاده از تمام جمعكنندهي پيشنهادي براي پارامترهاي تأخير و PDP به ترتيب 93% و 93% و جمعكنندهي پرش رقم نقلي ساخته شده با اين تمام جمعكننده نسبت به جمعكنندهي پرش رقم نقلي ساخته شده با تمام جمعكنندههاي پيشين، 48% از لحاظ توان، 37% از لحاظ تأخير و 39% از لحاظ PDP بهبود يافته است. تمامي شبيهسازيها در اين پژوهش با استفاده از نرمافزار HSPICE انجام پذيرفته كه نتايج حاصل از شبيهسازي در ولتاژها، دماها و با خازن بارهاي متفاوت نشان ميدهد كه تمام جمعكنندهي پيشنهادي بهبود قابل توجهي در توان نسبت به طراحيهاي پيشين فراهم آورده است و داراي تأخير و PDP قابل قبولي است.
-
كليدواژه لاتين
CNTFETs , precision full adder , multi-bit adders , power consumption.
-
عنوان لاتين
Designing a full adder cell based on 32 nm CNFET with Gate Diffusion Input technique
-
گروه آموزشي
مهندسي معماري كامپيوتر
-
چكيده لاتين
The limitations caused by the scaling in the common technology of silicon transistors (CMOS) have led researchers to find a suitable replacement for this technology. Meanwhile, carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs) have been proposed as the main alternative for replacement due to their characteristics and similarities with conventional CMOS technology. For this reason, the design and construction of gates and basic circuits in CNFET technology for use in larger hardware has become one of the important research topics in this field. In the meantime, the design of all adders, which are considered as the basis of other arithmetic operations, and improving their performance leads to improving the performance of larger circuits, has gained special importance. In the current research, a full collector using carbon nanotube field effect transistor technology has been introduced, which has been tried to perform better than previous designs in terms of power consumption parameter. The results showed that all the proposed adder has improved the power consumption between 6% and 61%, and also this design has improved the delay and PDP parameters by 9% to 69% and 1% to 8%, respectively, compared to a number of previous works. . For a more accurate evaluation of the designed design, larger adder circuits including wave-like adders and fast adders such as digit selection adders and digit jump adders were also designed and analyzed using all the proposed adders. So that the waveform adder designed with all these adders has 41% improvement in delay. The improvement of the design of the digit selection adder using all the proposed adders for the delay and PDP parameters is 93% and 93%, respectively, and the digit jump adder made with this all adder compared to the digit jump adder made with all previous adders, 48% of In terms of power, 37% in terms of delay and 39% in terms of PDP have improved. All the simulations in this research have been done using HSPICE software, and the results of the simulation at different voltages, temperatures and with different capacitor loads show that all the proposed collector has provided a significant improvement in power compared to the previous designs and has a delay and PDP that can be used. It is accepted.
-
تعداد فصل ها
6
-
لينک به اين مدرک :