تاثير تابش الكترون هاي MeV 10 بر مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستور قدرت سيليكوني نوع 2N5886

مقطع تحصيلي

كارشناسي ارشد

رشته تحصيلي

مهندسي هسته اي گرايش كاربرد پرتو

دانشكده

دانشكده علوم و فناوري هاي نوين، گروه مهندسي هسته اي

تاريخ دفاع

آذرماه 1396

صفحه شمار

۵۰ ص.

استاد راهنما

خديجه رضايي ابراهيم سرايي

استاد مشاور

علي محمد پورصالح

كليدواژه فارسي

ترانزيستور 2N5886 , شتاب دهنده ي رودوترون , كد MCNP4C , اثرپخت

تاريخ نمايه سازي

1396/12/16

نام نمايه ساز

صديقه رمضاني

كليدواژه لاتين

2N5886 Transistors , Rhodotron Accelerator , MCNP4C Code , Annelaing Effect

عنوان لاتين

Study of 10 MeV electrons Irradiation Damage Effects on Electrical Characteristics of 2N5886 Silicon Power BJT

نويسنده

اميري اردكاني، حميد

لينک به اين مدرک