بررسي اثرات تخريبي تابش يون پروتون روي مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت سيليكوني2N5886

مقطع تحصيلي

كارشناسي ارشد

رشته تحصيلي

هسته‌اي گرايش كاربرد پرتو

دانشكده

دانشكده علوم و فناوري‌هاي نوين، گروه مهندسي هسته‌اي

تاريخ دفاع

خرداد ماه 1395

صفحه شمار

55 ص.

استاد راهنما

خديجه رضايي

كليدواژه فارسي

ترانزيستور , تخريب پرتويي , مشخصات الكتريكي , دز يونيزان كل , دز جابه‌جايي , اثر رويدادهاي تكي

تاريخ نمايه سازي

1395/06/07

نام نمايه ساز

مائده السادات محمودي

كليدواژه لاتين

Transistor , Radiation Damage , Electrical Characteristics , Proton , TID , DD , SEE

عنوان لاتين

Study of Proton Ion Irradiation Damage Effects on Electrical Characteristics of 2N5886 Silicon Power BJT

نويسنده

بيك خورميزي، يحيي

لينک به اين مدرک