-
شماره ركورد
139199
-
عنوان
سلول حافظه SRAM كم توان و قابل اطمينان و طراحي آرايه اي
-
شرح پديد آور
مولف [صحيح: ويراستار] كويچيرو ايشيباشي، كنيچي اوسادا
-
مترجم
مترجمين صنم سهرابي آجي بيشه، سهيل ضياءبخش
-
اطلاعات نشر
-
سال نشر
۱۳۹۶
-
مشخصات ظاهري
۱۷۱ ص. : مصور، جدول
-
يادداشت
عنوان اصلي: Low power and reliable SRAM memory cell and array design, c2011 , كتابنامه.
-
موضوع
مدارهاي مجتمع ولتاژ پايين -- طرح و ساختمان , Low voltage integrated circuits -- Deign and construction , مدارهاي مجتمع -- مجتمع سازي در مقياس بزرگ -- طرح و ساختمان , Integrated circuits -- Large scale integration -- Design and construction , ابزار ذخيره سازي نيمه هادي , Semiconductor storage devices
-
شناسه هاي افزوده
پ ، ويراستار ايشيباشي ، كويچيرو , پ Ishibashi , Koichiro , پ ، ويراستار اوسادا ، كنيچي , پ Osada , Kenichi , پ ، مترجم سهرابي آجي بيشه ، صنم ، ۱۳۵۷ - , پ ، مترجم ضياءبخش ، سهيل ، ۱۳۶۰ - , ت پژوهشكده ميكروالكترونيك ايران
-
ردة اصلي
621
-
رده فرعي
/3815
-
شمارة كاتر
س677
-
تاريخ
1396
-
تاريخ ورود اطلاعات
1397/04/23
-
شابك
978-600-7724-95-8
-
عناوين ديگر - جزئيات
-
لينک به اين مدرک :
