شماره ركورد
139199
عنوان
سلول حافظه SRAM كم توان و قابل اطمينان و طراحي آرايه اي
شرح پديد آور
مولف [صحيح: ويراستار] كويچيرو ايشيباشي، كنيچي اوسادا
مترجم
مترجمين صنم سهرابي آجي بيشه، سهيل ضياءبخش
سال نشر
۱۳۹۶
مشخصات ظاهري
۱۷۱ ص. : مصور، جدول
يادداشت
عنوان اصلي: Low power and reliable SRAM memory cell and array design, c2011 , كتابنامه.
موضوع
مدارهاي مجتمع ولتاژ پايين -- طرح و ساختمان , Low voltage integrated circuits -- Deign and construction , مدارهاي مجتمع -- مجتمع سازي در مقياس بزرگ -- طرح و ساختمان , Integrated circuits -- Large scale integration -- Design and construction , ابزار ذخيره سازي نيمه هادي , Semiconductor storage devices
شناسه هاي افزوده
پ ، ويراستار ايشيباشي ، كويچيرو , پ Ishibashi , Koichiro , پ ، ويراستار اوسادا ، كنيچي , پ Osada , Kenichi , پ ، مترجم سهرابي آجي بيشه ، صنم ، ۱۳۵۷ - , پ ، مترجم ضياءبخش ، سهيل ، ۱۳۶۰ - , ت پژوهشكده ميكروالكترونيك ايران
ردة اصلي
621
رده فرعي
/3815
شمارة كاتر
س677
تاريخ
1396
تاريخ ورود اطلاعات
1397/04/23
شابك
978-600-7724-95-8